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Generale | |
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Tipo di dispositivo | Unità di memoria a stato solido - interno |
Capacità | 2 TB |
Crittografia hardware | Sì |
Encryption Algorithm | 256 bit AES |
Tipo memoria flash NAND | Triple-level cell (TLC) |
Fattore di forma | M.2 2280 |
Interfaccia | PCI Express 5.0 x4 (NVMe) |
Caratteristiche | Supporto TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, supporto Device Sleep, Samsung V-NAND TLC Technology, memoria cache DRAM 2GB LPDDR4, S.M.A.R.T. |
Larghezza | 22 mm |
Profondità | 80 mm |
Altezza | 2.38 mm |
Peso | 9 g |
Prestazioni | |
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Velocità di trasferimento dati interno | 5000 MBps (lettura) / 4200 MBps (scrittura) |
Lettura casuale da 4 KB | 22000 IOPS |
Scrittura casuale da 4 KB | 90000 IOPS |
Lettura casuale da 4 KB max | 800000 IOPS |
Lettura random massima 4KB | 700000 IOPS |
Espansione e connettività | |
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Compatibile con Baionetta | M.2 2280 |
Alimentazione | |
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Consumo energetico | 5.4 Watt (lettura) 4.7 Watt (scrittura) |
Software & Requisiti di sistema | |
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Software incluso | Samsung Magician Software |
Miscellanea | |
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Standard di conformità | IEEE 1667 |
Dati confezione | Scatola |
Garanzia del produttore | |
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Servizi e supporto | Garanzia limitata - 5 anni |
Parametri ambientali | |
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Temperatura min esercizio | 0 °C |
Temperatura max esercizio | 70 °C |
Tolleranza agli urti (non operativo) | 1500 g @ 0,5 ms |