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Generale | |
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Tipo di dispositivo | Unità di memoria a stato solido - interno |
Capacità | 4 TB |
Crittografia hardware | Sì |
Encryption Algorithm | 256 bit AES |
Tipo memoria flash NAND | MLC (multi-level cell) |
Fattore di forma | M.2 2280 |
Interfaccia | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
Caratteristiche | Supporto TRIM,tecnologia Garbage Collection,Dynamic Thermal Guard protection,supporto Device Sleep,Samsung V-NAND 3bit MLC Technology,NVM Express (NVMe) 2.0,4 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache,S.M.A.R.T. |
Larghezza | 22 mm |
Profondità | 80 mm |
Altezza | 2.3 mm |
Peso | 9 g |
Prestazioni | |
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Velocitàdi trasferimento dati interno | 7450 MBps (lettura) / 6900 MBps (scrittura) |
Lettura casuale da 4 KB max | 1550000 IOPS |
Lettura random massima 4KB | 1600000 IOPS |
Affidabilità | |
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MTBF | 1,500,000 ore |
Espansione e connettività | |
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Interfacce | PCI Express 4.0 x4 (NVMe) |
Compatibile con Baionetta | M.2 2280 |
Alimentazione | |
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Consumo energetico | 5.5 Watt (medio) 55 mW (inattivo) |
Software &Requisiti di sistema | |
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Software incluso | Samsung Magician Software |
Miscellanea | |
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Standard di conformità | IEEE 1667 |
Parametri ambientali | |
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Temperatura min esercizio | 0 °C |
Temperatura max esercizio | 70 °C |
Tolleranza agli urti (operativo) | Semisinusoidale a 0,5 ms |
Tolleranza agli urti (non operativo) | 1500 g |