Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
      DISCO DURO M2 SSD 1TB PCIE4 SAMSUNG EVO PLUS NVME
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      Spedito entro 4-7 giorni SMARPHONE 10GG
      DISPONIBILE
      LECTURA:7150MBS/ESCRITURA: 6300MBS/150TBW
      Cantidad :
      In Stock 100 Availableartículos
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      • GARANZIA ITALIA - EUROPAGARANZIA ITALIA - EUROPA
      Velocità spettacolare ogni giorno
      Completa tutte le attività in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti.

      Energia per tutta la giornata
      Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai più problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi.

      Più spazio. Massima velocità.
      Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione più rapida di grandi volumi di dati e massima fluidità dei contenuti grafici più elaborati grazie all'area TurboWrite più ampia, disponibile con una capacità di 4 TB.

      Software Samsung Magician
      Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunità SSD. È un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'unità SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware.

      Diamo vita alle idee
      Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione.

      Performance
      Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente.

      Efficienza energetica
      Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace.

      Versatilità
      Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia.

      Samsung MZ-V9S1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7150 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC
      SDD, capacidad1 TB
      Factor de forma de disco SSDM.2
      InterfazPCI Express 4.0
      NVMeSi
      Tipo de memoriaV-NAND TLC
      Componente paraPC
      Encriptación de hardwareSi
      Versión NVMe2.0
      Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
      Tamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)
      Velocidad de lectura7150 MB/s
      Velocidad de escritura6300 MB/s
      Lectura aleatoria (4KB)850000 IOPS
      Escritura aleatoria (4KB)1350000 IOPS
      Soporte S.M.A.R.T.Si
      Soporte TRIMSi
      Tiempo medio entre fallos1500000 h
      Ancho80,2 mm
      Profundidad2,38 mm
      Altura22,1 mm
      Peso9 g
      Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
      Samsung
      MZ-V9S1T0BW
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