Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
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    Samsung MZ-V9S1T0, 1 TB, M.2, 7150 MB/s

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    • GARANZIA ITALIA - EUROPAGARANZIA ITALIA - EUROPA
    Velocità spettacolare ogni giorno
    Completa tutte le attività in un attimo. Grazie alla memoria NAND di ultima generazione, 990 EVO Plus assicura una velocità di lettura/scrittura sequenziale semplicemente imbattibile, fino a 7.250/6.300MB/s. Trasferisci istantaneamente anche i file più pesanti.

    Energia per tutta la giornata
    Efficienza ottimizzata per una maggiore durata. Il controller rivestito in nichel aumenta del 73% i MB/s per watt a disposizione, assicurando lo stesso livello di potenza e controllo termico con un consumo energetico inferiore. Da oggi non avrai più problemi di surriscaldamento o di carica della batteria mentre lavori o mentre giochi.

    Più spazio. Massima velocità.
    Ottieni la massima potenza con la tecnologia di ultima generazione Intelligent TurboWrite 2.0. Elaborazione più rapida di grandi volumi di dati e massima fluidità dei contenuti grafici più elaborati grazie all'area TurboWrite più ampia, disponibile con una capacità di 4 TB.

    Software Samsung Magician
    Lascia che il tuo SSD funzioni come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician assicurano la massima efficienza dellunità SSD. È un modo sicuro e semplice per migrare tutti i dati per un aggiornamento dell'unità SSD Samsung. Proteggi dati importanti, tieni monitorato lo stato del drive e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware.

    Diamo vita alle idee
    Da decenni, la memoria flash NAND di Samsung è alla base di tecnologie e innovazioni che hanno rivoluzionato la nostra vita quotidiana in tutti i suoi aspetti. La tecnologia flash NAND è integrata anche nei nostri drive SSD, per aprire la strada alla prossima rivoluzione nellera dellinnovazione.

    Performance
    Velocità di lettura sequenziale fino a 7.250 MB/s, superiore del 45% rispetto al modello precedente.

    Efficienza energetica
    Efficienza energetica migliorata del 73% per un maggior numero di MB/s per watt, assicurando ottime prestazioni e un controllo termico efficace.

    Versatilità
    Fino a 4 TB di capacità estesa e tutta la rapidità della tecnologia Intelligent TurboWrite 2.0 con un'area TurboWrite più ampia.

    Samsung MZ-V9S1T0. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7150 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC
    SDD, capacidad1 TB
    Factor de forma de disco SSDM.2
    InterfazPCI Express 4.0
    NVMeSi
    Tipo de memoriaV-NAND TLC
    Componente paraPC
    Encriptación de hardwareSi
    Versión NVMe2.0
    Algoritmos de seguridad soportados256-bit AES
    Tamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)
    Velocidad de lectura7150 MB/s
    Velocidad de escritura6300 MB/s
    Lectura aleatoria (4KB)850000 IOPS
    Escritura aleatoria (4KB)1350000 IOPS
    Soporte S.M.A.R.T.Si
    Soporte TRIMSi
    Tiempo medio entre fallos1500000 h
    Ancho80,2 mm
    Profundidad2,38 mm
    Altura22,1 mm
    Peso9 g
    Intervalo de temperatura operativa0 - 70 °C
    Samsung
    MZ-V9S1T0BW
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